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12 月 21 日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米（nm）级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。
图自三星电子
三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款 DRAM拥有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM将解锁高达 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度。
能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。
据了解，随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。
